IRF135B203

Infineon Technologies

IRF135B203

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 77A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9700 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung135 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C129A (Tc)
Max. Verlustleistung441W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)