IRF1104LPBF

Infineon Technologies

IRF1104LPBF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 100A TO-262

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieHEXFET®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Hersteller-GehäuseTO-262