IRF100P219XKMA1

Infineon Technologies

IRF100P219XKMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V TO247AC

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12020 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 278µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C203A (Tc)
Max. Verlustleistung341W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247AC

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)