IRD3CH101DB6

Infineon Technologies

IRD3CH101DB6

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

ObsoletDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIRD3CH101
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)360 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.7 V @ 200 A
Current - Average Rectified (Io)200A
Current - Reverse Leakage @ Vr100 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C