Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Basis-Teilenummer | IR2102 |
|---|---|
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Eingangstyp | Inverting |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Montageart | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Obsolete |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 50ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 210mA, 360mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 3V |
| Versorgungsspannung | 10V ~ 20V |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Hersteller-Gehäuse | 8-PDIP |
| Betriebstemperatur | -40°C~150°C(TJ) |
|---|