IR2011

Infineon Technologies

IR2011

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

Obsolet8-DIP (0.300", 7.62mm)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerIR2011
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypInverting
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)35ns, 20ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1A, 1A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.7V, 2.2V
Versorgungsspannung10V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case8-DIP (0.300", 7.62mm)
Hersteller-Gehäuse8-PDIP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)