IPZ40N04S55R4ATMA1

Infineon Technologies

IPZ40N04S55R4ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™-5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 17µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung48W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101