IPW65R080CFDAFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 17.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4440 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.76mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43.3A (Tc)
Max. Verlustleistung391W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101