IPW60R099C7

Infineon Technologies

IPW60R099C7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 22A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 9.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1819 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ C7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 490µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Max. Verlustleistung110W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäusePG-TO247

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)