IPW60R041C6FKSA1

Infineon Technologies

IPW60R041C6FKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 44.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6530 pF @ 10 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 2.96mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C77.5A (Tc)
Max. Verlustleistung481W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäusePG-TO247-3-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)