IPW60R037CSFDXKSA1

Infineon Technologies

IPW60R037CSFDXKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N CH

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 32.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5623 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ CFSD
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.63mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
Max. Verlustleistung245W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäusePG-TO247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)