IPU60R1K5CEAKMA1

Infineon Technologies

IPU60R1K5CEAKMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3

ObsoletTO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Basis-TeilenummerIPU60R
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieCoolMOS™ CE
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 90µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Hersteller-GehäusePG-TO251-3

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)