IPTG014N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

IPTG014N10NM5ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8

Aktiv8-PowerSMD, Gull WingAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 280µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta), 366A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSMD, Gull Wing
Hersteller-GehäusePG-HSOG-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)