IPTC044N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

IPTC044N15NM5ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Aktiv16-PowerSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 75 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 235µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19.4A (Ta), 174A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case16-PowerSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-16-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)