IPTC019N10NM5ATMA1

Infineon Technologies

IPTC019N10NM5ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP

Aktiv16-PowerSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12000 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 210µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 279A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case16-PowerSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-16-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)