IPTC017N12NM6ATMA1

Infineon Technologies

IPTC017N12NM6ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Aktiv16-PowerSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 60 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 275µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Ta), 331A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 395W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case16-PowerSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-16-U01

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)