IPTC012N08NM5ATMA1

Infineon Technologies

IPTC012N08NM5ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP

Aktiv16-PowerSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 40 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™ 5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 275µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta), 396A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case16-PowerSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-16-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)