IPT60R125CFD7XTMA1

Infineon Technologies

IPT60R125CFD7XTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

HIGH POWER_NEW

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 6.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ CFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 340µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Max. Verlustleistung127W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)