IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

IPT60R040S7XTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 13A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3127 pF @ 300 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™S7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 790µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Max. Verlustleistung245W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8-2

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)