IPT039N15N5XTMA1

Infineon Technologies

IPT039N15N5XTMA1

Analog & Leistungselektronik

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

Abgekündigt8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7700 pF @ 75 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 257µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190A (Tc)
Max. Verlustleistung319W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)