IPT022N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPT022N10NF2SATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.25mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 50 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™ 2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 169µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Ta), 236A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)