IPT007N06NATMA1

Infineon Technologies

IPT007N06NATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.75mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 280µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
Max. Verlustleistung375W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)