IPT004N03LATMA1

Infineon Technologies

IPT004N03LATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF

Abgekündigt8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.4mOhm @ 150A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24000 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäusePG-HSOF-8-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)