IPQC60R017S7XTMA1

Infineon Technologies

IPQC60R017S7XTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET

Aktiv22-PowerBSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 29A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7370 pF @ 300 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ S7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.89mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Max. Verlustleistung500W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case22-PowerBSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-22

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)