IPP65R310CFDAAKSA1

Infineon Technologies

IPP65R310CFDAAKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3

AbgekündigtTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs310mOhm @ 4.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieAutomotive, AEC-Q101, CoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 440µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.4A (Tc)
Max. Verlustleistung104.2W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)