IPP65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R095C7XKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 11.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2140 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
SerieCoolMOS™ C7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 590µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Max. Verlustleistung128W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)