IPP60R022S7XKSA1

Infineon Technologies

IPP60R022S7XKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 23A TO220-3

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 23A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5639 pF @ 300 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™S7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.44mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
Max. Verlustleistung390W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)