IPP120N08S404AKSA1

Infineon Technologies

IPP120N08S404AKSA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6450 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Max. Verlustleistung179W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101