IPP09N03LA

Infineon Technologies

IPP09N03LA

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1642 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung63W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)