IPP085N06LGAKSA1

Infineon Technologies

IPP085N06LGAKSA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 80A. 10V
Basis-TeilenummerIPP085N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 125µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3-1