IPP019N06NF2SAKMA1

Infineon Technologies

IPP019N06NF2SAKMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 30 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieStrongIRFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 129µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 185A (Tc)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 188W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäusePG-TO220-3-U05

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)