IPLK60R600PFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPLK60R600PFD7ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 1.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds344 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ PFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 80µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Max. Verlustleistung45W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-52

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)