IPLK60R360PFD7ATMA1

Infineon Technologies

IPLK60R360PFD7ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 2.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds534 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ PFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 140µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
Max. Verlustleistung74W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-52

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)