IPL65R340CFDAUMA2

Infineon Technologies

IPL65R340CFDAUMA2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON

Abgekündigt4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs340mOhm @ 4.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusDiscontinued at
SerieCoolMOS™ CFD2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 400µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.9A (Tc)
Max. Verlustleistung104.2W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-GehäusePG-VSON-4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)