IPL60R095CFD7AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R095CFD7AUMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N CH

Aktiv4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 1.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2103 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ CFD7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 570µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Max. Verlustleistung147W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-GehäusePG-VSON-4

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)