IPI70N12S311AKSA1

Infineon Technologies

IPI70N12S311AKSA1

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL_100+

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4355 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 83µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101