IPI60R280C6

Infineon Technologies

IPI60R280C6

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3

AktivTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs280mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ C6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 430µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.8A (Tc)
Max. Verlustleistung104W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Hersteller-GehäusePG-TO262-3-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)