IPI034NE7N3 G

Name: IPI034NE7N3 G
Brand: Infineon Technologies

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

ObsoletTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 100A, 10V
Basis-Teilenummer	IPI034N
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8130 pF @ 37.5 V
Hersteller	Infineon Technologies
Montageart	Through Hole
Product Status	Obsolete
Serie	OptiMOS™
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 155µA

Drain-Source-Spannung	75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Max. Verlustleistung	214W (Tc)

Betriebstemperatur	-55°C~175°C(TJ)