IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 15A, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 27µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Power - Max65W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-10

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101