IPG15N06S3L-45

Infineon Technologies

IPG15N06S3L-45

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerIPG15N
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1420pF @ 25V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 10µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max21W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePG-TDSON-8-4

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)