IPF09N03LA

Infineon Technologies

IPF09N03LA

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1642 pF @ 15 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Max. Verlustleistung63W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3-23

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)