IPDQ65R017CFD7XTMA1

Infineon Technologies

IPDQ65R017CFD7XTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

HIGH POWER_NEW

Aktiv22-PowerBSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 61.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12338 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3.08mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C136A (Tc)
Max. Verlustleistung694W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case22-PowerBSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-22-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)