IPDD60R150G7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R150G7XTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10

Aktiv10-PowerSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 5.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds902 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ G7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 260µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
Max. Verlustleistung95W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case10-PowerSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-10-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)