IPDD60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

IPDD60R080G7XTMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10

Aktiv10-PowerSOP ModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 9.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1640 pF @ 400 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ G7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 490µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Tc)
Max. Verlustleistung174W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case10-PowerSOP Module
Hersteller-GehäusePG-HDSOP-10-1

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)