IPD90P03P404ATMA2

Infineon Technologies

IPD90P03P404ATMA2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 90A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10300 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieOptiMOS®-P2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 253µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
Max. Verlustleistung137W (Tc)

Mechanisch

Hersteller-GehäusePG-TO252-3-11

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101