IPD85P04P407ATMA2

Infineon Technologies

IPD85P04P407ATMA2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 85A, 10V
Basis-TeilenummerIPD85P04
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6085 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A (Tc)
Max. Verlustleistung88W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3-313

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)