IPD85P04P407ATMA1

Infineon Technologies

IPD85P04P407ATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

AbgekündigtTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 85A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6085 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieOptiMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A (Tc)
Max. Verlustleistung88W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101