IPD80R2K7C3AATMA1

Infineon Technologies

IPD80R2K7C3AATMA1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH TO252-3

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 1.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Max. Verlustleistung42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101