IPD80P03P4L07ATMA2

Infineon Technologies

IPD80P03P4L07ATMA2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 80A, 10V
Basis-TeilenummerIPD80P03
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 25 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 130µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung88W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3-11

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)