IPD65R380E6

Infineon Technologies

IPD65R380E6

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 3.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 100 V
HerstellerInfineon Technologies
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieCoolMOS™ E6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 320µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.6A (Tc)
Max. Verlustleistung83W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäusePG-TO252-3-313

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)